下面介绍IGBT模块的基本参数术语定义。
1.电压
·集电极-发射极阻断电压UCES：栅极和发射极短路时，集电极和发射极之间的电压。
这时集电极电流很小，通常等于lCES。
·集电极-发射极击穿电压U(BR)CES：栅极和发射极短路，当集电极的电流大幅上升时，集电极和发射极之间的电压。
·集电极-发射极维持电压UCES·sus。在特定的栅极-发射极控制下，集电极和发射极之间的电压。这时集电极电流值非常高，对击穿电压相对不敏感。
·集电极-发射极饱和电压UCESsat：在栅极和发射极之间加入一定的电压，且集电极电流几乎不受栅极-发射极电压控制，这时在集电极和发射极之间的电压。
·栅极-发射极之间的阈值电压UCES(TO)：集电极电流有一个较小的特定值时，栅极和发射极之间的电压。此时IGBT内部MOSFET沟通开启，允许一个很小的电流流过。
2. 电流
·集电极电流IC，IC，non：通常称作集电极电流或集电极电流。在数据手册中也用来表示最大连续集电极直流电流。
·重复峰值集电极电流ICRM:在时间t中(一般是1ms)最大的重复电流。很多厂商指定ICRM的值是IC，non的两倍。
·栅极-发射极漏电流IGES:发射极和集电极短路，在指定的栅-射电压下，流入栅极的漏电流。
·集电极-发射极漏(截止)电流lCES：在指定的集-射电压下，通常取额定阻断电压UCES，流入集电极的漏电流。
·拖尾电流ICZ：IGBT关断过程中，拖尾时间tZ内的集电极电流。
3. 时间
·开通延时td(on)或者td：IGBT的栅极开启电压脉冲到集电极电流开始上升的时间间隔。通常以栅极电压幅值的10%和集电极电流10%作为开通延时计算参考点。
·上升时间tr：通常指IGBT开通后，集电极电流从最大值的10%上升到90%的时间间隔。
·开通时间ton：td(on)和tr之和，如图1所示。
图1 开通时间
·关断延时td(off或ts：维持IGBT导通的栅极电压脉冲的末端时刻到集电极电流开始下降的间隔。在这段时间内，IGBT进入关断状态。一般情况下，以栅极电压幅值的90%和集电极电流的90%作为关断延时计算的参考点。
·下降时间tf：一般指集电极电流从最大值的90%下降到10%的时间。如果集电极电流90%的值到10%的值不是一条直线，则做一条下降电流曲线的切线，在切线上读取集电极电流的10%。
·关断时间toff：td(off)和tf之和，如图2所示。
·拖尾时间tz：关断时间toff的末端到集电极电流下降到其最大值2%时的时间间隔。
图2 关断时间
4. 温度
·等效结温Tvj:功率半导体的PN结温度。虽然半导体的结温无法直接测量，但是可以通过间接的测量手段获得结温，通常用等效结温表示。对于IGBT来说，结温Tvj并不是指某个特定PN结的温度，也不是PN结中某一特定区域的温度。简单来说，结温描述了半导体内温度的空间分布。由于工作条件不同，不同部位的温度梯度各不相同。有些部位的电压和电流的乘积最大，换句话说耗散功率最大。图3给出了IGBT内典型的等效电阻，这些电阻导致功率损耗。这也表明，损耗不仅仅只发生在PN结处。当IGBT处于导通状态时，Rj1是导致主要损耗的电阻。
图3 IGBT内典型的等效电阻
·最大结温Tvj，max：半导体器件通过直流电流时所允许的最大结温。该温度几乎与实际应用散热设计无关。
·工作结温Tvj,op：半导体器件处于开关工作状态时的温度范围，用于散热设计和寿命计算。
5. 能量
·开通能量Eon：单个集电极电流脉冲开通时IGBT产生的能耗。定义Eon的时间跨度为tEon，如图4所示，它从IC上升到正常值的10%开始，UCE下降到正常值的2%时结束。Eon可由下式定义：
(1)
在实际操作中，可用一个数字示波器来测定Eon，示波器可以跟踪并记录UCE(t)和iC(t)的数值，然后利用上述数学公式对两者的乘积进行积分，积分结果的最大值就是开通能量Eon。另外，可以把数据导入计算机，然后再进行数学分析
图4 定义开通能量的时间跨度
·关断能量Eoff：单个集电极电流脉冲关断时IGBT产生的能耗。定义Eoff的时间跨度为tEoff，如图5所示，它从UCE上升到正常值的10%开始，IC下降到正常值的2%时结束。Eoff可以由下式定义：
(2)
在实际操作中，Eoff可由数字示波器测定。示波器可以跟踪并记录uCE(1)和iC(t)，然后利用上述公式对两者的乘积进行积分。积分结果的最大值就是关断能量Eoff。另外，可以把数据导入计算机，然后再进行数学分析。
