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日立1700V电压IGBT模块
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日立1700V电压IGBT模块

日立1700V电压IGBT模块   |   更多产品详情请联系【电话:18612084398 周先生】【QQ:972814795   1316056746  908429905】

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产品描述

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1700V G2-Version

  • Low power dissipation by side-gate HiGT

  • Soft & fast recovery characteristic

  • Low noise & easy drive through low Cies and Cres of side-gate HiGT

  • High current density & half-bridge nHPD2 module

  • Scalable large current easily handled by paralleling

  • Low stray inductance & low Rth(j-c)

  • Built in temperature sensor

  • Equipped with current sensing terminals

Package Type Name
(Update) 		IC(A) Feature Status*1 Application Note Outline Step file
2in1
IGBT 		1200 LV Package
(Standard isolation) 		U  
*1M:Mass production, W:Working sample, U:Under development, D:Discontinued

1700V G-Version

  • High Power Density

  • Low Inductance

  • Scalable, Easy Paralleling

  • Standard and High Isolation Package

Package Type Name
(Update) 		IC(A) Feature Status*1 Application Note Outline Step file
2in1
IGBT 		1000 LV Package
(Standard isolation) 		M  
*1M:Mass production, W:Working sample, U:Under development, D:Discontinued

1700V F-Version

  • Advanced Trench HiGT - sLiPT

  • Low VCE(sat)

  • Soft switching

  • Low spike voltage

Package Type Name
(Update) 		IC(A) Feature Status*1 Application Note Outline Step file
1in1
IGBT 		1600   M
3600   M
2in1
IGBT 		1200   M
Chopper 1200   M
1600   M
*1M:Mass production, W:Working sample, U:Under development, D:Discontinued*2The first publication of the papers was at PCIM Europe Conference 2011.

1700V D-Version

*1M:Mass production, W:Working sample, U:Under development, D:Discontinued

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